特許

J-GLOBAL ID：200903009686469843

水素製造装置

発明者： 下宮 修
出願人/特許権者： 株式会社IHI
代理人 (1件)： 坂本 光雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-064165
公開番号（公開出願番号）：特開2008-223098
出願日： 2007年03月13日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】 亜硫酸電解器の水素製造効率を向上させる。【解決手段】 固体高分子電解質膜1の上側にカソード側給電体2とカソード側セパレータ4を積層し、固体高分子電解質膜1の下側に、アノード側給電体3とアノード側セパレータ5を積層する。カソード側流路11を、上流側より下流側にかけて流路高さ寸法が徐々に増大するよう構成する。カソード側流路11に硫酸水溶液を供給し、アノード側流路13に水と二酸化硫黄を供給した状態で各給電体2、3に通電して、アノード側では水素イオンと硫酸イオンとを発生させて電子を奪う一方、カソード側では固体高分子電改質膜1を通過した水素イオンに電子を与えて水素を発生させ、この水素の気泡を、カソード側流路11内で浮上させてカソード側給電体2より離脱させると共に、カソード側流路11の下流側の高さ寸法が増加する部分へ受け入れることで、カソード側流路11内での滞留を防止させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

固体高分子電解質膜の上側に設けたカソード側給電体の上側に、カソード側セパレータを積層し、上記固体高分子電解質膜の下側に設けたアノード側給電体の下側に、アノード側セパレータを積層し、且つ上記カソード側セパレータは、カソード側給電体側となる下面部に、電解質を含んだ水を供給するための上記カソード給電体が露出されたカソード側流路を備えてなる構成とすると共に、上記アノード側セパレータは、アノード側給電体側となる上面部に、水と二酸化硫黄を供給するための上記アノード側給電体が露出されたアノード側流路を備えてなる構成としたことを特徴とする水素製造装置。

IPC (3件)：

C25B 9/00 ,  C01B 3/02 ,  C25B 1/02

FI (3件)：

C25B9/00 A ,  C01B3/02 H ,  C25B1/02

Fターム (10件)：

4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BA04 ,  4K021BA17 ,  4K021CA01 ,  4K021CA09 ,  4K021DB04 ,  4K021DB31 ,  4K021DB53 ,  4K021DC03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 水素製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-127971   出願人：本田技研工業株式会社