特許
J-GLOBAL ID：200903009692123207

面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者：
乙間 広己

乙間 広己 について

, 
櫻井 淳

櫻井 淳 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-386815
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188471
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、精度良くVCSEL素子を作製できうるようにポストの高さを低く抑えたメサ構造において生じる層間絶縁膜の剥離の問題を解決し、歩留まりの高い構造を有する面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板101上に形成された第1導電型の第1の半導体多層反射膜と、前記第1の半導体多層反射膜上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2導電型の第2の半導体多層反射膜と、前記第1の半導体多層反射膜と前記第2の半導体多層反射膜との間に介在され、半導体層の一部に酸化領域を含む電流狭窄層とを有する面発光型半導体レーザ装置であって、前記第1の半導体多層反射膜の一部である少なくとも一つの半導体層が着膜面として露出され、該着膜面は表面の酸化物層が除去され、かつ絶縁膜によって覆われている面発光型半導体レーザ装置。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層反射膜と、前記第1の半導体多層反射膜上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2導電型の第2の半導体多層反射膜と、前記第1の半導体多層反射膜と前記第2の半導体多層反射膜との間に介在され、半導体層の一部に酸化領域を含む電流狭窄層とを有する面発光型半導体レーザ装置であって、前記第1の半導体多層反射膜の一部である少なくとも一つの半導体層が着膜面として露出され、前記着膜面の表面酸化物層が除去され、かつ前記着膜面上に絶縁膜が形成されている、面発光型半導体レーザ装置。
Fターム (13件)：
5F073AA09 ,  5F073AA51 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA84 ,  5F073AB17 ,  5F073BA08 ,  5F073CA05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA27 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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