特許

J-GLOBAL ID：200903009697567766

光半導体装置

発明者： 国井 秀雄 ,  高田 清 ,  落合 公 ,  井野口 浩 ,  石川 勉 ,  関口 智 ,  小堀 浩
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305816
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133834
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 反射面で光信号を屈曲させ、封止体の側面にレンズを設けた装置であって、反射面の反射を考慮したレンズの焦点設計を行うことにより、信号強度が高い光半導体装置を得る。【解決手段】 受光素子2と発光素子3をアイランド21、22上に固定し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体25とする。各素子2、3の上部に溝26を形成して反射面27を形成し、信号光6を反射面27で反射して封止体25の一側面25bから入出射するように構成する。一側面にレンズ28を設ける。レンズ28の中心線41は、反射面27及びホトダイオードPDのパターンのほぼ中心に位置する。且つ、レンズ28の焦点は反射面27での屈曲を考慮した上で、これらの素子のほぼ表面に位置する。

請求項（抜粋）：

光信号を電気信号に変換する受光面又は発光面を有する半導体素子を樹脂層で被覆し、前記半導体素子の上方に前記樹脂層によって反射面を形成し、前記反射面にて光信号を屈曲し、前記樹脂層の一側面から前記光信号の送受信を行う光半導体装置であって、前記樹脂層の一側面に前記光信号を集光するレンズ体を有し、前記レンズ体の中心線が、前記反射面を介して、前記半導体素子の受光面または発光面の中心にほぼ一致することを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/12 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 31/12 A ,  H01L 33/00 M ,  H01L 31/02 D

Fターム (22件)：

5F041AA39 ,  5F041AA47 ,  5F041CB32 ,  5F041DA57 ,  5F041EE23 ,  5F041FF16 ,  5F088AA01 ,  5F088BA15 ,  5F088BB10 ,  5F088EA09 ,  5F088JA11 ,  5F089AA03 ,  5F089AC10 ,  5F089AC11 ,  5F089BC02 ,  5F089BC11 ,  5F089BC15 ,  5F089BC23 ,  5F089BC24 ,  5F089CA16 ,  5F089CA20 ,  5F089EA04