荷電粒子ビーム描画方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井島藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-079862
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243127
出願日： 1991年04月12日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】パターンをその形状に応じ、適切に大図形と小図形とに分け、細かいパターンを精密に描画する。【構成】コンピュータ11は、データに基づき、各パターンの面積Sを求め、しきい値S0 以下であれば、小図形として判断する。面積SがS≧S0 の場合、パターンの周の長さLを求め、比ε(S/L)がしきい値ε0 より大きい場合にはそのパターンを大図形と判断し、ε≦εの場合、そのパターンを小図形と判断する。描画制御装置14は、図形の大きさの情報を含むデータに基づいて、ステージ19の駆動機構20、成形偏向器5を制御するDA変換器15、位置決め偏向器9を制御するDA変換器16、電子ビームのブランキングを行うブランキング電極17のコントロール回路18、電子銃1の制御電源21を制御する。

請求項（抜粋）：

被描画材料上に荷電粒子ビームを照射し、所望パターンの描画を行う方法であって、パターンを小図形と大図形とに分け、それぞれの図形に応じて描画条件を変えるようにした荷電粒子ビーム描画方法において、パターンデータから描画すべきパターンの面積を求めるステップ、該求めた面積と予め定めたしきい値とを比較し、求めた面積がしきい値より小さい場合にはそのパターンを小図形と判断するステップ、求めた面積がしきい値より大きい場合には、更に、そのパターンの周の長さを求め、面積と周の長さとの比を求めるステップ、その比としきい値とを比較し、その比がしきい値より小さい場合は、そのパターンを小図形と判断し、その比がしきい値より大きい場合には、そのパターンを大図形と判断するステップより成る荷電粒子ビーム描画方法。

FI (2件)：

H01L 21/30 341 J , H01L 21/30 341 M

前のページに戻る