静電気保護回路を備えた半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-167398
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084083
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】従来より面積の小さい静電気保護回路を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板に三地域に隔離形成されたアクティブ領域と、三地域に隔離形成されたアクティブ領域のそれぞれと隣り合うように設けられた複数の素子分離領域と、アクティブ領域に形成されたソース/ドレイン用拡散領域と、アクティブ領域と素子分離領域上に形成され前記拡散領域を露出させる第1コンタクトホールを有する第1層間絶縁膜と、第1層間絶縁膜上に形成され前記第1コンタクトホールを介して前記拡散領域と電気的に接続する第1配線と、前記の全体構造の露出した表面上部に形成され前記の三地域に隔離形成されたアクティブ領域のうちの中央部に位置するアクティブ領域上側に位置する前記第1配線を露出させる第2コンタクトホールを有する第2層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜上に形成され前記第2コンタクトホールを介して前記第1配線に電気的に接続する第2配線とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に三地域に隔離形成されたアクティブ領域と、前記の三地域に隔離形成されたアクティブ領域のそれぞれと隣り合うように設けられた複数の素子分離領域と、前記アクティブ領域に形成されたソース/ドレイン用拡散領域と、前記アクティブ領域と素子分離領域上に形成され、前記拡散領域を露出させる第1コンタクトホールを有する第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に形成され、前記第1コンタクトホールを介して前記拡散領域と電気的に接続する第1配線と、前記の全体構造の露出した表面上部に形成され、前記の三地域に隔離形成されたアクティブ領域のうちの中央部に位置するアクティブ領域上側に位置する前記第1配線を露出させる第2コンタクトホールを有する第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜上に形成され、前記第2コンタクトホールを介して前記第1配線に電気的に接続する第2配線とを含んでなることを特徴とする静電気保護回路を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 27/04 H , H01L 27/04 A , H01L 27/04 D , H01L 27/06 311 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

保護回路内蔵IC
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-037455 出願人：ローム株式会社
入力の電源電圧を越える要求動作に関するESD保護
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227393 出願人：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-054507 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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