特許

J-GLOBAL ID：200903009704293456

窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法

発明者： 岡崎 均 ,  鬼山 英幸
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328221
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186078
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 希土類3B族ペロブスカイトを基板とし、その基板の{101}面または{011}面上にGaN系半導体結晶のc面を安定して成長させることができるように改良した結晶成長方法を提供し、それによって青色発光材料として好適な良質のGaN系半導体結晶を得る。【構成】 面方位(011)のNdGaO3 (ネオジムガレート)よりなる基板を用い、その基板を、GaN系半導体結晶の成長開始前に、予めGaCl雰囲気下にさらして処理する。【効果】 GaN系半導体結晶に比較的良く格子整合し、かつ、熱的及び化学的に安定な希土類3B族ペロブスカイト基板の{101}面または{011}面上にGaN系半導体結晶のc面が安定して成長し、青色発光用半導体材料として良好なGaN系半導体結晶が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化ガリウム系半導体結晶を成長させるにあたり、前記基板として希土類3B族ペロブスカイトの{101}面または{011}面を用い、該基板を、予め3B族元素を含む化合物よりなる雰囲気下にさらして処理した後、窒化ガリウム系半導体結晶の成長を開始することを特徴とする窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/42 ,  H01L 33/00