特許

J-GLOBAL ID：200903009704403340

半導体レーザ装置

発明者： 冨田 恵作
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143613
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315705
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 高出力が得られるように、共振器長を長くした半導体レーザ素子を用いレーザ装置において、スクリーニング工程による不良発生率を低減化する。【構成】 半導体レーザ素子1が固着されたヒートシンク2を台座3上に固着してなる半導体レーザ素子において、半導体レーザ素子の線膨張係数をαs、ヒートシンクの線膨張係数をαh、半導体レーザ素子の素子長をLとしたとき、素子長Lを600μm以上とし、αs×Lとαh×Lとの差が1.0×10-9m/K以下であるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が固着されるヒートシンクと、前記ヒートシンクが固着される台座と、を有する半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子の線膨張係数をαs、前記ヒートシンクの線膨張係数をαh、前記半導体レーザ素子の素子長をLとしたとき、素子長Lが600μm以上で、かつ、αs×Lとαh×Lとの差が1.0×10-9m/K以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。