特許

J-GLOBAL ID：200903009718422593

半導体ウエハの高精度研削方法

発明者： 阿部 耕三
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 矢葺 知之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-128026
公開番号（公開出願番号）：特開平9-309049
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 高い平坦度を得ることができる半導体ウエハの高精度研削方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ3をカップ型の研削ホイール5で研削する半導体ウエハ3の高精度研削方法において、研削ホイール5の砥粒層6の外周7を半導体ウエハ3の回転中心Oに一致させて研削する。半導体ウエハ3の中心部が周辺部とほぼ同じ温度に保たれるので、半導体ウエハ3の中心部の熱膨脹が抑制され、研削後のウエハ平坦度が向上する。

請求項（抜粋）：

回転テーブルに保持した半導体ウエハをカップ型研削ホイールで研削する半導体ウエハの高精度研削において、砥粒層の外周を半導体ウエハの回転中心に一致させて研削することを特徴とする半導体ウエハの高精度研削方法。