窒化物半導体発光素子、及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：佐野静夫 , 山田茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-279317
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093548
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】本発明は、クラックの発生を防止し、各窒化物半導体薄膜の各膜厚が均一で、表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、掘り込み領域内において、側面部と底面部の境界に窪みを形成するとともに、丘の両端部に突起部を形成することで、丘と掘り込み領域との間において、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子がマイグレーションなどで行き来することを抑制することにより、丘上において表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成でき、歩留まり良く窒化物半導体発光素子を製造できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が窒化物半導体で構成される窒化物半導体基板表面に少なくとも1つの凹部から成る掘り込み領域と掘り込まれていない領域である丘部とを形成して加工基板を作製する第1ステップと、前記加工基板が備える前記掘り込み領域及び前記丘部表面の双方に少なくとも1種類以上の窒化物半導体薄膜を積層して窒化物半導体成長層を形成する第2ステップとを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記第2ステップにおいて、前記凹部の底面部と側面部の境界部分に窪みを形成することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/323 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S5/323 610 , H01L21/205 , H01L33/00 C

Fターム (32件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045BB13 , 5F045BB19 , 5F045CA12 , 5F045DA51 , 5F045EE12 , 5F045HA03 , 5F173AA08 , 5F173AH22 , 5F173AP14 , 5F173AP19 , 5F173AP23 , 5F173AP24 , 5F173AP33 , 5F173AQ12 , 5F173AQ16 , 5F173AR55 , 5F173AR84 , 5F173AR92 , 5F173AR93

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物半導体発光素子とその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-038228 出願人：シャープ株式会社

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