特許

J-GLOBAL ID：200903009735139978

コンタクトホールの形成方法および露光装置

発明者： 川島 美代子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-212654
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055898
出願日： 2002年07月22日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】均一な大きさの孤立ホールや密集したホール等のコンタクトホールが容易に形成できるコンタクトホールの形成方法および露光装置を得ること。【解決手段】レチクル上のコンタクトホールパターンの大きさを、設計されたコンタクトホールの中心位置を変えずに、すべて等しい大きさにバイアス補正した大きさにし、該レチクルを用いてコンタクトホールを形成すること。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

設計されたコンタクトホールパターンが所望の大きさW0と中心位置R0で形成されているとき、レチクル上のコンタクトホールを中心位置R0を変えずにホールの大きさを、倍率換算された所望の大きさW0からすべて等しい大きさWにバイアス補正し、該レチクルを用いてコンタクトホールを形成することを特徴とするコンタクトホールの形成方法であり、 バイアス補正したホールの大きさWは、近接効果が許容される最小の大きさとなるよう、設計されたコンタクトホールパターンの最小ピッチに基づいて決定される方法であり、コンタクトホールの最小ピッチをPとすると、Pは露光波長λと投影光学系のNAにより、 K1=(P/λ)NA で表し、Pは K1<2.0 であり、 ホールの大きさWは、ピッチPとパターンの幅Wの比をRとすると、 R=W/P R=Ka-Kb/P Ka<0.6 Kb<0.3 の関係を満足することを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F7/20

FI (6件)：

H01L21/30 514C ,  G03F1/08 A ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 514A ,  H01L21/30 528

Fターム (16件)：

2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB12 ,  2H095BB36 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA08 ,  5F046CA08 ,  5F046CB05 ,  5F046CB23 ,  5F046CB25 ,  5F046DA01 ,  5F046DA02 ,  5F046DA12 ,  5F046DA14