特許

J-GLOBAL ID：200903009735778539

薄膜コンデンサ及びその製造方法

発明者： 木村 親夫 ,  中川 敦
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
代理人 (1件)： 櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-225870
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056153
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】〔課題〕DRAMの蓄積用コンデンサやGaAsMMICのバイパス用コンデンサなどとして利用される小型・大容量の薄膜コンデンサを提供する。〔解決手段〕この薄膜コンデンサは、白金族元素の酸化物を還元して形成したを含む層(13)と、非白金族元素の金属を含む層(12)と、これらの層の間に介在する非白金族元素の金属を酸化して形成した非白金族元素の金属の酸化物を含む薄膜(14)とを備える。この薄膜コンデンサは、非白金族元素の金属の層 (Ta) と白金族元素の酸化物(RuO2)の層の積層構造を形成する工程と、この積層構造を白金族元素の酸化物の熱分解温度以上に加熱することにより両層の中間に非白金族元素の金属の酸化物(Ta2O5) を含む薄膜(14)を形成する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

白金族元素の酸化物を還元して形成した白金族元素を含む層と、非白金族元素の金属を含む層と、これらの層の間に介在する前記非白金族元素の金属を酸化して形成した前記非白金族元素の金属の酸化物を含む薄膜とを備えたことを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/04 C