特許

J-GLOBAL ID：200903009740841621

電荷トラツプ膜

発明者： 下地 規之
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129632
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 深いトラップ準位を有し、しかも優れた絶縁耐圧を持った電荷トラップ膜を提供する。【構成】 シリコン基板11上のトンネル酸化膜12の上に電荷トラップ膜15が形成されている。この電荷トラップ膜15は、ポリシリコン膜中のシリコングレイン13を熱酸化膜14あるいは熱シリコン窒化膜のような熱絶縁膜で覆うことにより形成されている。シリコングレイン13は、必要により、燐等の不純物がドープされる。熱酸化膜14のような熱絶縁膜は、スパッタリングやCVD法で得られる酸化膜に比べて、絶縁性が優れているので、電荷トラップ膜15は高い絶縁耐圧を持つ。また、熱酸化膜14で覆われたシリコングレイン13は、深いトラップ準位を持つので、信号電荷の保持特性に優れている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜の上に形成された電荷トラップ膜において、前記電荷トラップ膜は、ポリシリコン膜中のシリコン結晶粒が熱絶縁膜で覆われていること、を特徴とする電荷トラップ膜。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭47-033576
  
• 特開昭49-052581
  
• 特開昭48-045143
  
• 特公昭52-023233