特許
J-GLOBAL ID：200903009749169977
成膜シミュレーション方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095384
公開番号（公開出願番号）：特開平9-279340
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：
【要約】【課題】非晶質シリコン薄膜の正確な成膜速度、成膜物性を予測できない。【解決手段】成膜雰囲気から供給される入射活性種束とその入射活性種温度及び基板温度を設定する第1手順と、前記設定した条件のもとに、シリコン-水素系の原子間力表現式を基礎とする分子動力学法を用いて、多数入射活性種の基板表面反応・堆積過程定における原子1個ずつの動きをある時間ごとに追跡し、原子1個ずつの座標・速度を求め、この原子座標をもとに入射活性種の一部が形成する堆積膜厚、堆積膜厚中の全シリコン原子数、全水素原子数、堆積膜中の4配位シリコン原子数、水素1個と結合したシリコン原子数、水素2個と結合したシリコン原子数を算出し、これより成膜速度、成膜物性(欠陥割合、水素含有率、SiH2 /SiH比)を求める第2手順と、前記求めた成膜速度、成膜物性を出力する第3手順とを具備することを特徴とする成膜シミュレーション方法。
請求項（抜粋）：
基板表面に供給される薄膜形成物の入射活性種が非晶質シリコン薄膜を形成する際の成膜速度、成膜物性(欠陥割合、水素含有率、SiH2/SiH比)を求められる、分子動力学法を用いた成膜シミュレーション方法であって、成膜雰囲気から供給される入射活性種束とその入射活性種温度及び基板温度を設定する第1手順と、前記設定した条件のもとに、シリコン-水素系の原子間力表現式を基礎とする分子動力学法を用いて、多数入射活性種の基板表面反応・堆積過程における原子1個ずつの動きをある時間ごとに追跡し、原子1個ずつの座標・速度を求め、この原子座標をもとに入射活性種の一部が形成する堆積膜厚、堆積膜厚中の全シリコン原子数、全水素原子数、堆積膜中の4配位シリコン原子数、水素1個と結合したシリコン原子数、水素2個と結合したシリコン原子数を算出し、これより成膜速度、成膜物性(欠陥割合、水素含有率、SiH2 /SiH比)を求める第2手順と、前記で求めた成膜速度、成膜物性(欠陥割合、水素含有率、SiH2 /SiH比)を出力する第3手順とを具備することを特徴とする成膜シミュレーション方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/54 Z
, C01B 33/02 D
