特許
J-GLOBAL ID：200903009751075599
薄膜加工用コリメーター、薄膜加工装置、薄膜加工方法並びに半導体装置の配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280473
公開番号（公開出願番号）：特開平7-113172
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】蒸着材料、スパッタ粒子、CVD原料ガス分離、励起活性種等、薄膜加工に用いられる各種材料(以下、単に薄膜加工原材料ともいう)の流れを制御するための治具を提供し、あるいは又、アルミニウム系合金から成る配線層の表面荒れを効果的に防止し得る配線形成方法を提供する。【構成】コリメーター10は、真空又は減圧下で薄膜加工を行う薄膜加工装置20内に配設されるものであり、薄膜加工用原材料を通過させるための、規則的に配列された複数のスリット12を有する。半導体装置の配線形成方法は、基板上に形成された絶縁層上にスパッタ法にてTiN層を形成した後、TiN層上にアルミニウム層を形成する半導体装置の配線形成方法であって、基板に対して斜め方向からスパッタリングを行うことによって絶縁層上にTiN層を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
真空又は減圧下で薄膜加工を行う薄膜加工装置内に配設される薄膜加工用のコリメーターであって、薄膜加工用原材料を通過させるための、規則的に配列された複数のスリットを有することを特徴とするコリメーター。
IPC (4件)：
C23C 14/44
, H01L 21/203
, H01L 21/285
, H01L 21/3205
