特許

J-GLOBAL ID：200903009760125914

中距離秩序材料を大きな体積比率で含んだ半導体材料

発明者： オブシンスキー、スタンフォード アール. ,  グーハ、サブヘンドゥ ,  ヤン、チ-チャン ,  デン、スンミン ,  ジョーンズ、スコット
出願人/特許権者： エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド ,  ユナイテッド ソーラー システムズ コープ.
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-527042
公開番号（公開出願番号）：特表2001-506407
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：

【要約】材料内の浸透通路を形成するのに必要な体積百分率までであるがこれを含まない中距離秩序(IRO)シリコン合金材料の領域を含む高品質非単結晶シリコン合金材料。この材料の残りはアモルファスあるいはアモルファス材料および微細結晶材料の混合物のいずれかである。この材料は、異なる量のIRO材料を含む材料を製造するために異なる量の希釈水素を使用するCVDによって作成された。好ましくは、この材料は少なくとも8体積百分率のIRO材料を含んでいる。

請求項（抜粋）：

以下から成る、高品質、非単結晶、シリコン合金材料。 (a)前記材料中に浸透通路を形成するのに必要とされる体積%未満で含有された中距離秩序材料の領域。 (b)アモルファス又はアモルファスと微晶質の混合材料である、材料の残りの部分。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/861 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/04

FI (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/02 A ,  H01L 29/91 E ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 618 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-067020
  
• 特開昭61-278132
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• STRUCTURAL NATURE OF NANOCRYSTALLINE SILICON