特許
J-GLOBAL ID：200903009760570381
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074982
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270436
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】装置トラブルを防止し、保守を容易にし、稼働率を向上させ、常温で液体又は固体である原料を気化し材料ガスとして供給し成膜したり、又は反応ガスとして供給し反応させたりするのに好適な半導体製造装置を提供する。【解決手段】エネルギ線照射手段を収納する独立したエネルギ線照射室を配設し、反応処理ガスが接触しない手段を設けた。
請求項（抜粋）：
基板反応処理室と、上記基板反応処理室内に保持された試料基板に常温で液体又は固体である原料をガス化し供給する手段と、エネルギ線照射下で上記ガスを上記試料基板表面に接触させて上記試料基板表面を反応処理させる手段とを含む半導体製造装置において、上記エネルギ線照射手段を収納する独立したエネルギ線照射室を配設し、上記エネルギ線照射手段に上記ガスが接触しない手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C23C 16/48
, H01L 21/205
H01L 21/31 B
, C23C 16/48
, H01L 21/205
