特許

J-GLOBAL ID：200903009769478674

半導体装置及びその製造方法

発明者： 斎藤 吉広
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032155
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252178
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 素子の劣化が少なく、故障率の低いうえに特性変動の少ない半導体装置を提供する。【構成】 基板110の表面の絶縁膜を形成する部分のGaAsを露出させ、オゾン(O3 )雰囲気の下で紫外線を照射して表面のGaAsを酸化する(図1(a))。つぎに、高純度の水にて超音波洗浄を行う(図1(b))。この洗浄にて表面の酸化膜120からAs2 O3 が除去され、非常に薄いGa2 O3 が表面に残留するものと考えられる。つぎに、絶縁膜或いは保護膜としてSiO2 膜130を熱CVD法で形成する(図1(c))。そして、ここからは通常のMESFETと同様にソース電極,ドレイン電極,ゲート電極を形成する部分のSiO2 膜130を除去し、金属を蒸着させてこれらの電極を形成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板に素子を形成するとともに前記素子が形成された前記基板の表面に絶縁膜を形成してなされる半導体装置の製造方法であって、前記表面を酸化雰囲気で紫外光の照射により酸化し、高純度の水で超音波洗浄をした後に、前記絶縁膜としてSiO2 膜を熱CVD法で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/316