特許

J-GLOBAL ID：200903009772726336

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 有持 賢志 ,  五十嵐 勉 ,  布川 満次
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351146
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015693
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】キャパシタを備えた化合物半導体装置に関し、絶縁性保護膜を介してキャパシタの上部及び下部電極の間に流れるリーク電流を阻止すること。【解決手段】化合物半導体基板1の上に第1の絶縁膜6を介して形成されたキャパシタ用の第1の電極21と、前記第1の電極21の上に形成された前記キャパシタ用の誘電体膜22と、前記誘電体膜22の上に形成された前記キャパシタ用の第2の電極26と、前記第2の電極26の上面と側面を覆う第2の絶縁膜27と、前記第2の絶縁膜27と前記誘電体膜22と前記第1の電極21と前記第1の絶縁膜6を覆い、かつ前記第2の絶縁膜27よりも水素含有率が大きな絶縁性保護膜29とを含む。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板の上に第1の絶縁膜を介して形成されたキャパシタ用の第1の電極と、前記第1の電極の上に形成された前記キャパシタ用の誘電体膜と、前記誘電体膜の上に形成された前記キャパシタ用の第2の電極と、前記第2の電極の上面と側面を覆う第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜と前記誘電体膜と前記第1の電極と前記第1の絶縁膜を覆い、かつ前記第2の絶縁膜よりも水素含有率が大きな絶縁性保護膜とを有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 27/095

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/318 B ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 E

Fターム (29件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038CA02 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA05 ,  5F058BB02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ03 ,  5F102FA00 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM06 ,  5F102GT05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC11