特許
J-GLOBAL ID：200903009773220584
積層型半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-063212
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273401
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】この発明は、例えば半導体レーザを構成するために複数の半導体レーザチップを積層する場合、その積層構造が位置ずれ等を生ずることなく作製できるようにした積層型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】ヒートシンク11の表面に金属層15を形成したヒートシンク11上に、上下に電極13、14を形成した半導体レーザチップ121 、122 、...を、それぞれ間にはんだ層161 、162 、...を介して積層する。そして、ヒートシンク11の裏面に設定したヒータ18で全体を加熱する。この場合、例えばはんだ層161 、162 、...において、ヒータ18からの距離が遠く設定されるはんだ層程、その融点が高くされるように設定され、加熱に溶解された最上層のはんだ層161 から順次凝固されるようにして、上層から2つの層の半導体レーザチップ121 と122 が接合固定され、以後積層順次に接合固定されるようにした。
請求項（抜粋）：
重ね合わせて一体化すべき複数の半導体素子をそれぞれその接合面にはんだ層を介して積層してその積層状態を保持させる第1の工程と、前記複数の半導体素子の積層体を全体的に加熱して、前記半導体素子間に介在される前記はんだ層を溶融する第2の工程と、前記溶融されたはんだ層部を凝固させる第3の工程とを具備し、前記積層体の一方に対応する部分の前記はんだ層が、他方に対応する部分のはんだ層に比較して速やかに凝固されるように凝固時間に傾斜を持たせたことを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 23/40
, H01S 3/25
