半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287727
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148525
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】樹脂封止型PKGやベアチップにおける放熱性や高速性を簡便な手段で向上させる。【構成】TABテープのリード3の下面および上面に金属箔4のリード3に向ける面に絶縁層5を形成した電源用のシート配線6および接地用のシート配線6aを重ねて所要の位置の絶縁層5を破壊しながらスポット熔接し、半導体チップ1の放熱を高め、且つ大電流配線の抵抗を下げる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの周囲に配置して前記半導体チップと電気的に接続したリードを有するTABテープと、前記リードの上面又は下面の少くとも一方に配置して前記リードと向い合う面に絶縁層を設け且つスポット熔接により前記絶縁層を部分的に破壊して前記リードと電気的に接合した金属箔とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 23/12 Q , H01L 23/12 E , H01L 23/12 J

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