特許
J-GLOBAL ID：200903009774822600
成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139036
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319926
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】被膜物質を主成分とするガス雰囲気中で成膜される膜の膜厚をより正確に制御することのできる成膜装置を提供する。【解決手段】基板1が配置されるサセプタ4は、ヒータブロック5から供給される熱によって、その温度が所定の値に保たれている。これら、サセプタ4とヒータブロック5とには、孔6が形成されている。これら孔6、6’内に挿入される支持棒7によって、基板1が上方に持ち上げられる。上記サセプタ4は、基板1に所望の温度勾配を付与するパターン部4bと、同パターン部4bを収納するパターン収納部4aとを備える。
請求項（抜粋）：
温度制御される保持体上に基板を載置し、同基板表面で被膜物質を主成分とするガスを反応させることで成膜を行う成膜装置において、前記保持体の表面の前記基板により覆われる領域に、同基板背面との間隙を調整すべく凹部が設けられた間隙調整手段を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, C23C 16/458
4K030CA04
, 4K030CA06
, 4K030GA02
, 4K030JA09
, 4K030KA23
, 4K030LA18
, 5F045AA03
, 5F045BB02
, 5F045CA15
, 5F045DP02
, 5F045EK30
, 5F045EM02
