特許

J-GLOBAL ID：200903009775805563

SiO▲2▼系母材上へのスパッタリング方法

発明者： 大西 隆 ,  山本 正剛 ,  板山 克広 ,  池田 貢基 ,  久本 淳
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 植木 久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-256586
公開番号（公開出願番号）：特開平9-095768
出願日： 1995年10月03日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 熱・プラズマCVD装置等の真空装置におけるマイクロ波導入用の窓材を代表とする各種基材について、透明性や耐熱性を損なうことなく耐弗素プラズマ性を改善する。特に常に安定して優れた耐ハロゲン系ガス腐食性及び耐ハロゲン系プラズマ腐食性を発揮することのできるコーティング膜の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 SiO2 を主体とする母材上に、他の金属酸化物薄膜をスパッタリング法によって形成するに当たり、放電ガスとして不活性元素ガスを用い、前記薄膜形成面以外の母材表面を前記不活性元素プラズマによる電場から遮蔽するマグネトロンスパッタリング法によってコーティングする。

請求項（抜粋）：

SiO2 を主体とする母材上に、金属酸化物薄膜をスパッタリング法によって形成するに当たり、放電ガスとして不活性元素ガスを用い、前記薄膜形成面以外の母材表面を前記不活性元素プラズマによる電場から遮蔽することを特徴とするSiO2 系母材上へのスパッタリング方法。

IPC (4件)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/18 ,  C23C 14/35 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 14/08 A ,  C23C 14/18 ,  C23C 14/35 Z ,  H01L 21/31 D