特許
J-GLOBAL ID：200903009784099507
チャージポンピング回路及び該チャージポンピング回路を持つ不揮発性メモリ装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095525
公開番号（公開出願番号）：特開平10-302493
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 本発明の新規なチャージポンピング回路は複数の伝達トランジスターを提供する。【解決手段】 伝達トランジスターは各々半導体基板上にフローティングされたn型ウェルに各々形成される。フローティングされたウェルに各々形成される伝達トランジスターのスレショルド電圧は、ポンピング動作が遂行される間に、いつもソースバルク電圧差である寄生ダイオードのスレショルド電圧に対応する電圧レベルに一定に維持され、伝達トランジスターのスレショルド電圧上昇による高電圧ポンピング動作が制限されなく、その結果低い電源電圧でも安定に高電圧を発生することができる。そして、チャージポンピング回路は、複数の放電トランジスターを備え、前記トランジスターはポンピング動作が遂行された後、上昇した前記各ウェル電位を半導体基板の電圧レベルに早く放電させる。
請求項（抜粋）：
供給電圧のレベルに比して高いレベルを持つ陽の高電圧を発生させるためのチャージポンプ回路において、少なくとも一つの主表面を持つ第1導電型の半導体基板と、前記供給電圧を受け入れるための電源端子と、前記高電圧を出力するための出力端子と、前記半導体基板に形成され、前記第1導電型と相反する第2導電型を持ち、ポンピング動作が遂行されている間、フーロティング状態に維持される複数のウェル領域と、前記各ウェル領域内に形成され、前記電源端子と前記出力端子との間に直列に接続された複数の伝達トランジスターと、前記各伝達トランジスタに各々連結される複数個のブスティングキャパシターと、を含むことを特徴とするチャージポンピング回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 632 A
, H02M 3/07
