特許
J-GLOBAL ID：200903009787730739
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-269040
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130266
出願日： 1994年11月01日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 レーザチップを静電破壊およびサージ破壊から守ることができる半導体レーザ装置を提供する。【構成】 半導体レーザ装置11において、ステム16と一体的に形成された配置台18に取付けられた半導体レーザチップ25に、駆動用の電流を供給する電流注入端子29が挿通する透孔20部分にて、電流注入端子29とステム16との間の空間を、誘電体材料から成る封止部材32によって封止する。そのため、電流注入端子29を経由して半導体レーザチップ25へと侵入する静電気および電流注入端子29を流れる駆動電流に重畳されたノイズ電流を吸収することができ、半導体レーザチップ25を静電破壊およびサージ破壊から保護することができる。
請求項（抜粋）：
導体から成る基台と、前記基台上に配置された半導体素子と、前記半導体素子を覆うように設けられる被覆部材と、前記半導体素子に駆動電流を供給する端子とを有し、前記端子を基台に形成された透孔から基台に接触しないように、半導体素子の近傍に突出させ、端子と半導体素子とを電気的に接続し、前記透孔を誘電体材料で封止したことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/00
, H01L 23/02
, H01L 23/04
, H01L 23/10
, H01S 3/18
