特許

J-GLOBAL ID：200903009790724375

反射防止膜及びその製造方法、並びにEL素子

発明者： 二星 学 ,  下山 浩幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076384
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270165
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 Cr酸化膜、Cr金属膜を使用する場合の製造プロセスにおける排水処理の問題、Mo酸化膜、Mo金属膜を使用する場合の耐水性の弱点がない、環境に適合した製造コストの安価な、製造プロセスでの安定性の全てを満足する構造を実現する。【解決手段】 Si、W、Ta、Niのいずれかの物質を添加したMo酸窒化膜((Mo:X)ON(X=Si、W、Ta、Ni)と、金属膜(Ni、A1、Mo)等の膜のうちの一つ以上の膜とを積層する。

請求項（抜粋）：

Si、W、Ta、Niのいずれかの物質を添加したMo酸窒化膜((Mo:X)ON(X=Si、W、Ta、Ni)と、金属膜(Ni、A1、Mo)等の膜のうちの一つ以上の膜とを積層する構造を有する反射防止膜。

IPC (2件)：

H05B 33/12 ,  H05B 33/26

FI (2件)：

H05B 33/12 ,  H05B 33/26

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-337105   出願人：三菱電機株式会社
• 位相シフトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-239701   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭61-281277