特許

J-GLOBAL ID：200903009793931665

MOS FET

発明者： 西川 哲
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-065285
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037298
出願日： 1991年03月07日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 電流駆動力の優れたMOS FETを得る。【構成】 MOS FETのソース領域に、該ソースからチャンネル領域にホット・エレクトロンを注入する構造を設ける。ホット・エレクトロンのように初期にエネルギーをもった電子をチャンネル内に注入すれば、チャンネル内での電子の加速が速やかに行われるため、ほぼチャンネルの全域で飽和速度を越えたドリフト速度が実現される。そのため、高gm を実現でき、電流駆動力の優れたMOS FETを得ることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されるMOS FETにおいて、ソース領域に、該ソースからチャンネル領域にホット・エレクトロンを注入する構造を設けたことを特徴とするMOS FET。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-154668
  
• 特開昭63-100776