特許

J-GLOBAL ID：200903009795346948

マグネトロンスパッタ装置

発明者： 奥田 晃 ,  横山 政秀 ,  後藤 千佳子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151905
公開番号（公開出願番号）：特開平5-339726
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月21日
要約：

【要約】【目的】 ターゲットの利用効率を向上し、膜の特性再現性、膜厚均一性、ステップカバレージ性、成膜速度を向上し、パーティクルを減少する。【構成】 真空状態の維持が可能な真空チャンバー8と、真空チャンバー8内を減圧雰囲気にする真空排気ポンプ9と、真空チャンバー8内にスパッタリングガスを流量調整しながら供給するガス供給系10と、磁石対3を配置されかつターゲット5を固定されたカソード1と、カソード1に対向して配置されスパッタリングにより成膜される基板7と、カソード1に電圧を印加し基板7との間でプラズマを発生させる電源11とを備えたマグネトロンスパッタ装置において、磁石対3を波形又は矩形波状の形状をした第1の磁極3aと、第1の磁極3aを囲みかつその凹部の間に位置する部分を有する第2の磁極3bで構成し、プラズマ密度の高い部分、即ちエロージョン領域をターゲット5の表面全面に発生させかつ均一にターゲット5を侵食させる。

請求項（抜粋）：

真空状態の維持が可能な真空チャンバーと、真空チャンバー内を減圧雰囲気にする真空排気ポンプと、真空チャンバー内にスパッタリングガスを流量調整しながら供給するガス供給系と、磁石対を配置されかつターゲットを固定されたカソードと、カソードに対向して配置されスパッタリングにより成膜される基板と、カソードに電圧を印加し基板との間でプラズマを発生させる電源とを備えたマグネトロンスパッタ装置において、磁石対を、波形又は矩形波状の形状をした第1の磁極と、第1の磁極を囲みかつその凹部の間に位置する部分を有する第2の磁極で構成したことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。