特許
J-GLOBAL ID：200903009797860304
半導体結晶性膜の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121301
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306848
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に、窒素系III -V族半導体膜を純度高く高品質の結晶として形成しうるようにする。【構成】 窒素を含まないIII -V族化合物半導体半導体基板101の側面103、裏面104をSiO2 等からなるマスク105により被覆し〔(b)図〕、ハイドライドVPE法等により、基板の表面に比較的低温にて、GaN等からなる第1の結晶成長膜106を形成する〔(c)図〕。続いて、良好な結晶性が得られる高温においてエピタキシャル成長を行い、GaN等からなる第2の結晶成長膜107を形成する〔(d)図〕。【効果】 半導体基板表面の結晶成長面以外の表面をマスクで被覆したことにより、結晶成長時の基板材料の蒸発が抑えられ、純度の高い結晶層が得られる。
請求項（抜粋）：
基板主上面、裏面および側面を含む基板表面で結晶性膜を成長させる領域以外の基板表面をマスクした半導体基板を用い、該半導体基板表面上へ半導体結晶性膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体結晶性膜の成長方法。
IPC (8件)：
H01L 21/205
, C30B 25/18
, C30B 29/38
, H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 21/308
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, C30B 25/18
, C30B 29/38 D
, H01L 21/20
, H01L 21/203 M
, H01L 21/308 C
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
