電気特性測定装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 伊藤仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-303364
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115769
出願日： 2005年10月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】半導体試料及び半導体と絶縁膜界面の電気特性を正確に測定することができる半導体の電気特性測定装置を提供する。【解決手段】交流電圧電流源30からインダクタンス20を介して電気的特性を測定するための半導体試料10に交流電圧を供給する。そして、電気計測器40によって、インダクタンス20の両端の電位を計測する。交流電圧電流源30の周波数は、インダクタンス20(L)と半導体試料10の表面に設けられる絶縁膜11のキャパシタンスCとのLC共振条件を満足させるように設定される。これにより、半導体試料10の表面に接着される絶縁膜11を取り除くことなく、半導体試料10の電気的特性を測定することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

交流電圧電流源と、電気特性を測定するための半導体試料と、該半導体試料の表面に接続された絶縁膜と、前記交流電圧電流源からの交流電圧を前記半導体試料に印加する電極と、前記電極と前記交流電圧電流源との間に接続されるインダクタンスと、前記インダクタンスと前記電極との間の電位を測定するための電位測定手段とを備え、前記絶縁膜のキャパシタンスと前記インダクタンスとの合成インピーダンスが、前記交流電圧電流源の周波数においてゼロとなる共振条件を形成するようにしたことを特徴とする電気特性測定装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01R 31/26

FI (2件)：

H01L21/66 L , G01R31/26 Z

Fターム (11件)：

2G003AA10 , 2G003AB06 , 2G003AE02 , 2G003AG03 , 2G003AG07 , 2G003AH05 , 4M106BA14 , 4M106CA12 , 4M106CB10 , 4M106CB19 , 4M106DH16

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-282846号公報

審査官引用 (5件)

半導体の少数キャリアの再結合ライフタイム測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-364138 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
欠陥検査方法および欠陥検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-361832 出願人：富士通株式会社
特開昭61-159748

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