特許

J-GLOBAL ID：200903009802800374

成膜用基板の成膜面の仕上げ方法

発明者： 田中 聡 ,  飯山 道朝
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342465
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148066
出願日： 1991年11月30日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【構成】 基板を酸素雰囲気中で約1100°C、8時間加熱する熱処理を行い、基板のブローホール、結晶欠陥を成膜面に凝集する。この後、成膜面を斜めエッチングして成膜面に凝集したブローホール、結晶欠陥を除去し、成膜面上に窒化Si等の絶縁体を表面が平坦になるよう堆積させ、エッチバックして平滑な基板成膜面を得る。成膜面の状態をさらに改善するために、この後、再度酸素雰囲気中で熱処理を行ってもよい。【効果】 熱処理で、基板ブローホール、結晶欠陥が成膜面に凝集され、斜めエッチングでそれらが除去される。得られる基板は成膜面の状態が極めて優れており、その上に成膜される薄膜の特性が向上する。

請求項（抜粋）：

薄膜の成膜に適するように仕上げられた成膜面を有する成膜用基板の前記成膜面の仕上げ方法において、前記基板を酸素雰囲気中で熱処理し、成膜面に垂直でない角度でイオンを照射して該成膜面をエッチングする工程および/または該成膜面に絶縁体を被覆して平坦にし、該絶縁体被覆をエッチングして除去するとともに平滑な成膜面を形成する工程を含むことを特徴とする成膜用基板の成膜面の仕上げ方法。

IPC (2件)：

C04B 41/87 ZAA ,  C04B 41/91 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-138353
  
• 特開平2-248304
  
• 特開平1-302845