プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053132
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252218
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】大きな面積の被処理基板に膜厚および膜質が均一な薄膜、特に結晶質シリコン薄膜を成膜することが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置され、前記第1電極との対向面に多数の反応ガスの吹き出し穴が開口されるとともに、複数の溝が中心から周辺部に向かって放射状もしくは格子状に形成された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを導入するためのガス導入手段とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置され、前記第1電極との対向面に多数の反応ガスの吹き出し穴が開口されるとともに、複数の溝が中心から周辺部に向かって放射状もしくは格子状に形成された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを導入するためのガス導入手段とを具備したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/513 , H01L 21/31 , H01L 31/042 , H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/50 F , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , H01L 31/04 R

Fターム (56件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BA31 , 4K030BB01 , 4K030BB04 , 4K030BB13 , 4K030CA02 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030EA11 , 4K030FA03 , 4K030JA01 , 4K030JA03 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4K030KA17 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045BB02 , 5F045BB07 , 5F045BB09 , 5F045BB12 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA61 , 5F045EE13 , 5F045EF05 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH14 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051BA14 , 5F051CA07 , 5F051CA15 , 5F051CA24 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06

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