特許

J-GLOBAL ID：200903009807363479

薄膜トランジスタの製造方法及びアニール装置

発明者： 国井 正文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-306203
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133810
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの活性層に用いる半導体薄膜の高品質化を達成する。【解決手段】 薄膜トランジスタを製造する為、まず成膜工程を行ない、互いに直交する長手方向及び幅方向に広がる絶縁基板0の表面に半導体薄膜を形成する。次にアニール工程を行ない、外部からエネルギーを加えて半導体薄膜を改質する。この後加工工程を行ない、改質された半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを形成する。アニール工程では、絶縁基板0の幅方向に沿って矩形状に整形された比較的高エネルギーのレーザ光50を間欠的なタイミングで半導体薄膜に照射する一方、上下一対のアークランプ61,62を用いて絶縁基板0の幅方向に沿って線状に形成された比較的低エネルギーのランプ光をレーザ光50の照射タイミングにほぼ同期して間欠的に半導体薄膜に照射し、且つ照射タイミングに合わせて絶縁基板0を長手方向に移送する。

請求項（抜粋）：

互いに直交する長手方向及び幅方向に広がる絶縁基板の表面に半導体薄膜を形成する成膜工程と、外部からエネルギーを加えて該半導体薄膜を改質するアニール工程と、改質された該半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを形成する加工工程とを行なう薄膜トランジスタの製造方法であって、前記アニール工程は、該絶縁基板の幅方向に沿って矩形状又は線状に整形された比較的高エネルギーのビームを間欠的なタイミングで該半導体薄膜に照射する一方、複数の光源を用いて該絶縁基板の幅方向に沿って矩形状又は線状に形成された比較的低エネルギーのランプ光を該ビームの照射タイミングにほぼ同期して間欠的に該半導体薄膜に照射し、且つ該照射タイミングに合わせて該絶縁基板を長手方向に移送する事を特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324

FI (7件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 G ,  H01L 21/324 K ,  H01L 21/26 F ,  H01L 29/78 616 A

Fターム (49件)：

5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052AA25 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052JA10 ,  5F052JB09 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN23 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP08 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ23