特許

J-GLOBAL ID：200903009808344583

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 植西 俊哉 ,  鈴木 範夫 ,  小坂 雄二 ,  中村 敦司 ,  佐藤 友美
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-120312
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315320
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の素子分離酸化膜のバーズビーク長をマスクのパターンに関係なく均一にし、2層ゲート構造における2層目のゲート酸化膜の落ち込みをなくし、ゲート耐圧の向上を図る。【構成】 窒化シリコン膜1をマスクとし、酸化膜2を通してシリコン基板5に酸素4あるいはシリコン4を斜めに注入した後に、酸化性雰囲気中で熱処理し、素子分離酸化膜5を形成する。

請求項（抜粋）：

素子分離酸化膜を形成する工程を有する半導体集積回路装置の製造方法において、シリコン基板に、窒化シリコン膜をマスクとして酸素を斜めに注入して、前記窒化シリコン膜の周辺下のシリコン基板に予め酸素を供給し、次いで、酸化性雰囲気中で熱処理することにより、半導体素子分離酸化膜を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76