新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-322189
公開番号（公開出願番号）：特開2002-128758
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】一般式1のオニウム塩。(R1はC6〜14の置換/非置換のアリール基、R2は水素又はC1〜6の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換/非置換のアルキル基、R0は水酸基、アルコキシ基、ハロゲン又はニトロ基、pは1又は2、q、rはそれぞれ0、1又は2。R3はC1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換/非置換のアルキル基又はC6〜14の置換/非置換のアリール基、Mは硫黄又はヨウ素で、Mが硫黄の場合aは3、Mがヨウ素の場合aは2である。)【効果】本オニウム塩を用いた化学増幅型レジスト材料は解像性、焦点余裕度に優れ、長時間のPEDにも線幅変動、形状劣化が少なく、塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有し、特に遠紫外線リソグラフィー用に有用である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるオニウム塩。【化1】(式中、R1は炭素数6〜14の置換又は非置換のアリール基を示す。R2は同一でも異なってもよく、水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換又は非置換のアルキル基を示す。R0は水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はニトロ基を示す。pは1又は2であり、q、rはそれぞれ0、1又は2である。R3は同一でも異なってもよく、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換又は非置換のアルキル基、又は炭素数6〜14の置換又は非置換のアリール基を示す。Mは硫黄原子又はヨウ素原子を示し、Mが硫黄原子の場合aは3であり、Mがヨウ素原子の場合aは2である。)

IPC (12件)：

C07C381/12 , C07C 25/02 , C07C309/35 , C07C309/74 , C08K 5/09 , C08K 5/16 , C08K 5/42 , C08L 25/18 , C08L 33/02 , C09K 3/00 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

FI (12件)：

C07C381/12 , C07C 25/02 , C07C309/35 , C07C309/74 , C08K 5/09 , C08K 5/16 , C08K 5/42 , C08L 25/18 , C08L 33/02 , C09K 3/00 K , G03F 7/004 503 A , H01L 21/30 502 R

Fターム (35件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB76 , 4H006TA04 , 4H006TB01 , 4J002BC121 , 4J002BG011 , 4J002EA046 , 4J002EF098 , 4J002EF118 , 4J002EN027 , 4J002EN047 , 4J002EN107 , 4J002EN127 , 4J002EP017 , 4J002EU047 , 4J002EU237 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV257 , 4J002EV296 , 4J002FD140 , 4J002FD156 , 4J002FD310 , 4J002GP03

引用特許：

審査官引用 (2件)

新規スルホニルジアゾメタン化合物及びレジスト材料用の光酸発生剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-230142 出願人：信越化学工業株式会社
新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-245564 出願人：信越化学工業株式会社

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