特許
J-GLOBAL ID：200903009812497769
固体撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185999
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029600
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】縦型オーバーフロードレイン構造で電子シャッタ動作可能な固体撮像装置に於いて、フォトダイオード最大蓄積電荷量の容易な制御、及び電子シャッタ動作駆動電圧の低電圧化をはかる。【構成】フォトダイオード4の表面側にP+ 型拡散層3をチャネルストッパー9と接しない様にして形成し、このP+ 型拡散層3と金属遮光膜2とをコンタクトホール1を回路して直接接触させ、金属遮光膜に外部から目的に応じた任意のバイアス電圧を印加することによりフォトダイオードの表面電位を制御する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面部の第1導電型ウェルに、第2導電型光電変換領域を複数個列状に配置し、前記第2導電型光電変換領域に隣接して第2導電型電荷転送チャネルを配置してなる画素列を複数列有し、前記各画素列間に第1導電型素子分離領域を配置し、前記第2導電型電荷転送チャネル上に絶縁膜を介して転送電極群を配置し、前記第2導電型光電変換領域に対応する開口を有する金属遮光膜を前記転送電極群上に他の絶縁膜を介して配置してなる固体撮像装置において、前記光電変換領域の表面部に第1導電型拡散層を前記第1導電型素子分離領域とは分離して形成し、かつ前記第1導電型拡散層は前記金属遮光膜と一部で直接接触している事を特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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