特許
J-GLOBAL ID：200903009813123528
化合物半導体薄膜層の成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036781
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234890
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】CuInSe2 薄膜層のCu/In比の異なる2層の積層を、待ち時間の必要のない連続した蒸着作業で形成する。【構成】Cu、In、Seの各蒸発源の温度は一定にしておき、CuおよびInの蒸発源からの蒸発ビームの照射時間を独立して制御することにより膜組成を変える。例えば全蒸発ビームを連続して照射してCuに富む層を形成したのち、Cuの蒸発源からの蒸発ビームのみを間歇的に照射してCuの少ない層を形成する。あるいは、Inの蒸発源からの蒸発ビームのみを間歇的に照射してCuに富む層を形成し、Cuの少ない層は全蒸発源からの蒸発ビームの照射により形成する。
請求項（抜粋）：
複数の蒸発源を有する蒸発装置を用い、各蒸発源を所定の温度で加熱しながら、それぞれの蒸発源からの蒸発ビームの照射時間およびその継続時間を独立して制御することを特徴とする化合物半導体薄膜層の成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C01B 19/04
, C30B 23/08
, H01L 31/04
