特許

J-GLOBAL ID：200903009814970470

フォトレジスト用の重合体、その製造方法及びこれを用いたフォトレジスト組成物

発明者： 李 相 均 ,  文 捧 錫 ,  慮 昌 鎬
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-062380
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053618
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】フォトレジスト用の重合体製造方法、これを用いたフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 次の一般式(1)の重合体及びこれを用いたフォトレジスト組成物。式中、R1は水素原子又はメチル基で;R2は炭素数1〜12の線状又は分枝状のアルキル基、ハロアルキル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数5〜12のシクロアルキル基、シクロハロアルキル基またはシクロアルコキシカルボニル基、フェニル基又はナフチル基で;R3は炭素数1〜12の線状又は分枝状のアルキル基又はハロアルキル基、炭素数5〜12のシクロアルキル基又はシクロハロアルキル基、フェニル基又はナフチル基で;R4及びR5は水素原子又は炭素数1〜6の線状又は分枝状のアルキル基又は炭素数5〜6のシクロアルキル基で;R'およびR"は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、アルキルカーボネート基又はフェニル基である。

請求項（抜粋）：

次の一般式(1)で表されるフォトレジスト用の重合体:【化1】式中、R1は水素原子又はメチル基で;R2は炭素数1〜12の線状又は分枝状のアルキル基、ハロアルキル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数5〜12のシクロアルキル基、シクロハロアルキル基またはシクロアルコキシカルボニル基、フェニル基又はナフチル基で;R3は炭素数1〜12の線状又は分枝状のアルキル基又はハロアルキル基、炭素数5〜12のシクロアルキル基又はシクロハロアルキル基、フェニル基又はナフチル基で;R4及びR5は別個のものとして水素原子又は炭素数1〜6の線状又は分枝状のアルキル基又は炭素数5〜6のシクロアルキル基で;R'およびR"はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、アルキルカーボネート基又はフェニル基で;m、n、p及びqは別個のものとして、mとqは0でなく、nとpの少なくとも一つは0でなく、0.4≦m/(m+n+p+q)≦0.9、0≦n/(m+n+p+q)≦0.5、0≦p/(m+n+p+q)≦0.5、0.01≦q/(m+n+p+q)≦0.3を満足する。

IPC (5件)：

C08F212/14 ,  C08K 5/36 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F212/14 ,  C08K 5/36 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (41件)：

2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J002BC111 ,  4J002BC121 ,  4J002BC131 ,  4J002EV216 ,  4J002EV226 ,  4J002EV296 ,  4J002FD030 ,  4J002FD310 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AB07S ,  4J100AB13S ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03S ,  4J100BA04Q ,  4J100BA04S ,  4J100BA23S ,  4J100BB00Q ,  4J100BB00R ,  4J100BB00S ,  4J100BC43S ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA61 ,  4J100EA01 ,  4J100JA38