特許
J-GLOBAL ID：200903009815164051
半導体のトラップ評価方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264334
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085484
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 ワイドバンドギャップ半導体に存在する深いトラップ準位を室温におて評価する。【解決手段】 白色光源からの光を分光した単一波長光18を半導体試料15に照射しつつ、C-V測定装置10を用いてC-V測定を行い、その測定結果から深いトラップ準位を評価する。この方法によれば、室温においても深いトラップ準位を評価することができ、ワイドバンドギャップを用いた半導体装置の性能向上を目的とした評価に利用することができる。
請求項（抜粋）：
トラップされたキャリアを光照射により励起させて半導体のトラップ準位を評価することを特徴とする半導体のトラップ評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 21/00
, G01N 27/00
H01L 21/66 L
, G01N 21/00 B
, G01N 27/00 Z
2G059AA03
, 2G059BB16
, 2G059CC20
, 2G059GG10
, 2G059HH02
, 2G059KK10
, 2G060AA09
, 2G060AE40
, 2G060AF02
, 2G060AF10
, 2G060AG08
, 4M106AA01
, 4M106AB01
, 4M106AB11
, 4M106BA20
, 4M106CA12
, 4M106CB07
