特許
J-GLOBAL ID：200903009817106504
半導体エネルギー検出器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-182354
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029506
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、短波長光等のエネルギー線に対する感度が良好な半導体エネルギー検出器を提供することを目的とする。【構成】 シリコンウエファ(35)上には、CCD(31)を有するP型エピ層(24)が設置されている。このP型エピ層(24)には、P+ 層(27)が設けられている。さらに、P型エピ層(24)の上側にはシリコンウエファ(29)が設けられている。このシリコンウエファ(29)は、パッケージ(38)の窓材(40)から入射する短波長光を受光する領域のみエッチングにより除去され、開孔を形成している。上述の構造を有する裏面照射型半導体エネルギー検出器では、アキュームレーション状態が維持される。したがって、短波長光に対する感度が同一チップ内で均一に、しかも安定している検出器となる。
請求項（抜粋）：
P型の半導体薄板の表面に電荷読み出し部が形成され、前記P型の半導体薄板の裏面からエネルギー線が入射される半導体エネルギー検出器において、前記P型の半導体薄板の裏面には、不純物がドープされてなるP+ 型の高濃度層が形成されていることを特徴とする半導体エネルギー検出器。
IPC (2件)：
引用特許：
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