半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341528
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181312
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】ソース・ドレインがLDD構造を有し、ホットキャリア耐性の高いMOS型トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】LDD構造を持つMOS型トランジスタを構成要素とする半導体装置の製造方法において、半導体基板上で、多結晶シリコンのゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板上で、前記ゲート電極をマスクとして高濃度不純物を含むソース・ドレインを形成する工程と、前記のゲート電極を熱酸化する工程と、前記熱酸化工程によって酸化されたゲート電極側壁の酸化膜をドライエッチングで除去する工程と、前記側壁の酸化膜を除去した後の前記ゲート電極をマスクとして低濃度不純物を含むソース・ドレインを形成する工程とを含み、ソース・ドレイン近傍のゲート酸化膜を他の部分よりも厚く形成する。

請求項（抜粋）：

LDD構造を持つMOS型トランジスタを構成要素とする半導体装置の製造方法において、半導体基板上にゲート酸化膜を介して多結晶シリコンのゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板上であり前記ゲート電極に対しセルフアラインに高濃度不純物を含むソース・ドレインを形成する工程と、前記のゲート電極を熱酸化する工程と、前記熱酸化工程によって酸化されたゲート電極の側壁の酸化膜をドライエッチングで除去する工程と、前記側壁の酸化膜を除去した後のゲート電極に対しセルフアラインに低濃度不純物を含むソース・ドレインを形成する工程とを含み、前記ソース・ドレイン近傍のゲート酸化膜を他の部分のゲート酸化膜より厚く形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 Y

前のページに戻る