特許
J-GLOBAL ID：200903009822889924
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325159
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144213
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置と樹脂プリント基板との間の歪みを緩和し、半導体装置と樹脂プリント基板との電気的接続の信頼性を向上する。【解決手段】 溝部10の内部を含む半導体基板1の主面上に封止用樹脂11を塗布し、メタルポスト8の上面に半田バンプ12を形成後、分割領域9に沿って半導体基板1および封止用樹脂11をダイシングにより切断し、半導体基板1の主面および側面が封止用樹脂11で覆われた形状の個々の半導体装置に分割することで、半導体装置と樹脂プリント基板との間の熱膨張係数の差を小さくする。
請求項（抜粋）：
(a)分割領域によって区画された複数のチップ形成領域を有する半導体ウエハであって、前記複数のチップ形成領域の各々が複数の半導体素子と複数のボンディングパッドとを有する半導体ウエハを準備する工程、(b)前記チップ形成領域の各々の複数のボンディングパッドに電気的に接続された導体部を形成する工程、(c)前記分割領域に溝部を形成する工程、(d)前記溝部内を含む前記半導体ウェハの主面上に封止用絶縁膜を形成する工程、(e)前記半導体ウエハを前記溝部に沿って切断することにより、前記導体部が形成され、前記封止用絶縁膜の一部が側面に形成された複数の半導体チップを形成する工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 23/12
, H01L 21/304 601
, H01L 21/304 621
, H01L 21/304 622
, H01L 21/56
, H01L 21/301
, H01L 21/60
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 21/304 601 Z
, H01L 21/304 621 B
, H01L 21/304 622 X
, H01L 21/56 E
, H01L 23/12 L
, H01L 21/78 A
, H01L 21/92 602 F
, H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 S
, H01L 21/92 604 E
, H01L 23/30 D
4M109AA01
, 4M109BA07
, 4M109CA04
, 4M109DB17
, 5F061AA01
, 5F061BA07
, 5F061CA04
