特許
J-GLOBAL ID：200903009825087713
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-150945
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321624
出願日： 1995年05月25日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 ソース電極およびドレイン電極のオーミック特性が良好で、ソース領域およびドレイン領域の直列抵抗が低く、しかもソース領域およびドレイン領域の接合が逆バイアスされたときのリーク電流が少ない薄膜トランジスタを実現する。【構成】 活性層にa-Si:H薄膜2を用いた薄膜トランジスタにおいて、ソース領域3およびドレイン領域4のうちのソース電極7およびドレイン電極8のコンタクト部3a、4aをPドープ多結晶Siにより形成し、その他の部分はa-Si:H,Pにより形成する。Pドープ多結晶Siからなるコンタクト部3a、4aは、a-Si:H,Pに紫外レーザ光を照射して溶融再結晶化を行うことにより形成する。
請求項（抜粋）：
活性層にアモルファス半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、ソース領域のうちのソース電極のコンタクト部およびドレイン領域のうちのドレイン電極のコンタクト部は多結晶半導体からなり、上記ソース領域のうちの上記ソース電極のコンタクト部以外の部分および上記ドレイン領域のうちの上記ドレイン電極のコンタクト部以外の部分はアモルファス半導体からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 627 G
