特許
J-GLOBAL ID：200903009826619875
バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142153
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335584
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ベース層の厚みを抑制し、バイポーラトランジスタの遮断周波数の低下を防止するバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。【構成】 多結晶シリコン層6上に第2のシリコン酸化膜7を形成し、第2のシリコン酸化膜7と多結晶シリコン層6の所定の一部にエミッタ開口部9を形成し、その開口部9の側壁に第3のシリコン酸化膜からなるサイドウォール10を形成する。開口部9及び開口外周部の第1のシリコン酸化膜5を除去し、多結晶シリコン層6からなる庇部分を形成し、露出したコレクタ層3上にP型の不純物を少なくともその一部に含むシリコンゲルマニウムベース層11と、1×1019cm-3以下の濃度のN型のシリコン層12を順次成長させ、それと同時に多結晶シリコン層6の庇部分から多結晶シリコンゲルマニウム層13と、多結晶シリコン層14を成長させ、前記多結晶シリコン層14とN型シリコン層12との接続を行う。
請求項（抜粋）：
(a)第1導電型シリコンからなるコレクタ層上に第1の絶縁膜を形成する工程と、(b)前記第1の絶縁膜上に第1の多結晶シリコン層を形成する工程と、(c)前記第1の多結晶シリコン層に第2導電型の不純物をドープしアニールする工程と、(d)前記第1の多結晶シリコン層上に第2の絶縁膜を形成する工程と、(e)前記第2の絶縁膜と第1の多結晶シリコン層の所定の一部に開口部を形成する工程と、(f)前記開口部の側壁に第3の絶縁膜からなるサイドウォールを形成する工程と、(g)前記開口部及び開口外周部の第1の絶縁膜を除去し、前記第1の多結晶シリコン層からなる庇部分を形成する工程と、(h)露出したコレクタ層上に第2導電型の不純物を少なくともその一部に含むシリコンゲルマニウム層と、1×1019cm-3以下の濃度の第1導電型のシリコン層を順次成長させ、それと同時に前記多結晶シリコン層の庇部分から多結晶シリコンゲルマニウム層と、第2の多結晶シリコン層を成長させ、前記第1導電型のシリコン層と第2の多結晶シリコン層が接続する程度の膜厚となし、その後熱処理により、前記第1の多結晶シリコン層からの第2導電型不純物の拡散により第2の多結晶シリコン層と第1導電型のシリコン層の一部を第2導電型とする工程とを有することを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
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