特許
J-GLOBAL ID:200903009829483222
酸化物超電導材料の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-154953
公開番号(公開出願番号):特開平7-025699
出願日: 1993年06月25日
公開日(公表日): 1995年01月27日
要約:
【要約】【目的】 超電導化に伴う結晶内への双晶の導入密度がより低く抑えられ、結晶性に優れたYBa2 Cu3 Ox (xは6.5〜7)の単結晶を作製できる方法を提供する。【構成】 Y、BaおよびCuを含む一方、YBa2 Cu3 Oz (zは6〜7)結晶およびY2 BaCuO5 結晶をともに含まない出発原料を用意し、この原料を加熱して980〜1000°Cの温度で所定時間保持した後、得られた溶湯を酸素を主成分とする雰囲気において酸素分圧20気圧以上の条件下で加圧しながら酸素を取込ませて徐冷することにより、溶湯から直接斜方晶のYBa2 Cu3 Ox (xは6.5〜7)の単結晶を晶出させる。
請求項(抜粋):
Y、BaおよびCuを含む一方、YBa2 Cu3 Oz (zは6〜7)結晶およびY2 BaCuO5 結晶をともに含まない出発原料が、次式YBa2 Cu3 Oz → Y2 BaCuO5 +液相で表わされる包晶分解反応の反応温度未満であり、かつ固液温度以上である溶解温度まで加熱されて得られる溶湯を、酸素を主成分とする雰囲気において、加圧しながら酸素を取込ませて徐冷することにより、斜方晶YBa2 Cu3 Ox (xは6.5〜7)の単結晶を育成させることを特徴とする、酸化物超電導材料の製造方法。
IPC (6件):
C30B 29/22 501
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C04B 35/653 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01B 12/00 ZAA
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