特許
J-GLOBAL ID：200903009832518509
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066041
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330601
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 オン抵抗の小さな半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体表面に形成された溝部と溝部との間に形成されたチャンネル領域を流れる主電流を、溝部内部に埋め込まれたゲート電極によって制御する半導体装置であって、このゲート電極によって直接制御される主電流の方向が、半導体表面に平行であり、主電流が半導体表面から垂直方向に分布している。したがって半導体表面の面積の制限を受けずに自由に、チャンネル幅Wを増大することができる。
請求項（抜粋）：
少なく共一つの主表面を有する基板と、該基板の上部又は該主表面の少なく共一部に形成され、該主表面と実質的に平行な主表面を有する第1の半導体領域と、該第1の半導体領域の一部に形成された第1の主電極領域となる第2の半導体領域と、該第1の半導体領域の一部に形成され、該第2の半導体領域とは離間して形成された第2の主電極領域となる第3の半導体領域と、該第2および第3の半導体領域の間の該第1の半導体領域の一部に形成され、該主表面に対し実質的に垂直の側壁を有して該第1の半導体領域の表面から内部に向かって形成されたゲート溝部と、該ゲート溝部の該側壁部に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の表面に、該ゲート溝部の少なくとも一部を埋め込むように形成されたゲート埋め込み電極と、を少なくとも具備する絶縁ゲート型半導体装置であって、該第1および第2の主電極領域間を流れる主電流のうち、該ゲート埋め込み電極の最も近傍の、該ゲート埋め込み電極により制御される成分の方向が、該主表面と実質的に平行であり、該主電流の分布の方向が該主表面から垂直方向である事を特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/762
, H01L 29/78
, H01L 29/80
H01L 29/78 626 A
, H01L 21/76 D
, H01L 29/78 653 D
, H01L 29/78 655 Z
, H01L 29/80 A
