特許

J-GLOBAL ID：200903009834608629

半導体装置における配線構造及びその形成方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372837
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106397
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】低誘電率材料から成る絶縁層を用いた場合であっても、高い信頼性を有する半導体装置における配線構造の形成方法を提供する。【解決手段】配線構造の形成方法は、比誘電率が3.5以下であって、熱分解を開始する温度が400 ゚C以下である低誘電率材料から成る絶縁層12を基体10,11上に形成した後、絶縁層12に開口部14を形成し、開口部14を含む絶縁層12上にバリアメタル層15を成膜し、次いで、薄膜16を成膜し、更に、高融点金属材料層17を形成し、以て、開口部14内を高融点金属材料で埋め込む各工程から成り、薄膜16は、バリアメタル層15を構成する材料よりも酸化され難い金属若しくは金属化合物から構成されている。

請求項（抜粋）：

(イ)比誘電率が3.5以下であって、熱分解を開始する温度が400 ゚C以下である低誘電率材料から成る絶縁層を基体上に形成した後、該絶縁層に開口部及び/又は溝部を形成する工程と、(ロ)該開口部及び/又は溝部内を含む絶縁層上にバリアメタル層を形成する工程と、(ハ)該バリアメタル層上に薄膜を形成する工程と、(ニ)該薄膜上に高融点金属材料層を形成し、以て、開口部及び/又は溝部内を高融点金属材料層で埋め込む工程、から成る半導体装置における配線構造の形成方法であって、薄膜は、バリアメタル層を構成する材料よりも酸化され難い金属若しくは金属化合物から構成されていることを特徴とする半導体装置における配線構造の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 R

Fターム (62件)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104DD37 ,  4M104DD38 ,  4M104DD43 ,  4M104DD61 ,  4M104DD65 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP21 ,  5F033PP23 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW09 ,  5F033XX02 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX20