液晶表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-110190
公開番号（公開出願番号）：特開2001-296551
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】半導体スイッチング素子の特性に影響を及ぼすことのない容量素子を組み込む。また、容量素子の占有面積の増大を回避させて画素の開口率を向上させる。【解決手段】基板上の画素領域に、第1の導電層、第1の絶縁膜、第2の導電層が順次形成され、前記第1の導電層は前記第1の絶縁膜上に形成される半導体スイッング素子の遮光膜として形成されているとともに、前記第2の導電層はその上層に形成される容量素子の一の電極として形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に設けられる遮光膜と、該遮光膜を被う第1の絶縁層と、該第1の絶縁層上に形成される第1の電極と、該第1の電極上に設けられる第2の絶縁層と、該第2の絶縁層上に設けられた薄膜トランジスタの半導体層及び第2の電極と、前記薄膜トランジスタの一つの電極及び前記第2の電極に電気的に接続される画素電極とを有し、前記薄膜トランジスタの半導体層は前記遮光膜の上に設けられ、前記第2の電極は前記第1の電極上に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (6件)：

G02F 1/1368 , G02F 1/1333 505 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 349 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

G02F 1/1333 505 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 349 C , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 626 C

Fターム (91件)：

2H090HA04 , 2H090HA08 , 2H090HB03X , 2H090HB04X , 2H090HB13X , 2H090HD03 , 2H090LA01 , 2H090LA04 , 2H090LA05 , 2H092JA35 , 2H092JB51 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092JB64 , 2H092JB66 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB02 , 2H092KB04 , 2H092KB13 , 2H092KB22 , 2H092KB25 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA07 , 2H092NA29 , 2H092PA09 , 2H092RA05 , 5C094AA12 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094ED15 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094HA10 , 5C094JA08 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD30 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HL07 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN44 , 5F110NN45 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110QQ01 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23

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