特許

J-GLOBAL ID：200903009841984270

光学素子及びその作製方法

発明者： 成井 啓修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-151660
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312439
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 {111}面を立ち上げミラー面とし、しかも不感帯領域の小さい光学素子及びその作製方法を提供する。【解決手段】 本発明方法により光学素子を形成する基材は、{100}面を主面とするGa As 基板12上に、半導体レーザ構造を備え、かつ[011]方向に直交して凸状のレーザストライプ11を有する。絶縁膜21を成膜し、パターニングして共振器領域以外から絶縁膜を除去する。次に、絶縁膜をマスクにして方向性エッチングを施して所定面23までエッチングし、所定面上にレーザストライプと同じ形状の凸部24を形成する。所定面上に結晶成長させ、立ち上げミラー部28を形成する。この形成過程で、凸部の上面、側面及び所定面から同時に{111}B面30、32が成長する。この成長と共に{111}B面30と{111}B面32との間の横方向の面(図面の中の斜線部分)34からもラテラル成長が始まり、{111}B面の領域が広がり、十分にレーザ光立ち上げミラー部として機能する。

請求項（抜粋）：

主面とする{100}面に対して平行な面又は15°以下の角度で傾斜している基板面を備えるGa As 基板と、化合物半導体層の積層構造からなる半導体レーザ部と、半導体レーザ部の端面近傍に配置され、半導体レーザ部の端面から出射されたレーザ光を基板面に対して上方垂直に反射させる立ち上げミラー面を有するレーザ光立ち上げ部と、レーザ光立ち上げ部に関して半導体レーザ部と反対側に配置された受光部とを基板面上にそれぞれ備えていることを特徴とする光学素子。