特許

J-GLOBAL ID：200903009842211932

3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置の製造方法

発明者： 大塚 信幸 ,  向井 剛輝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-110688
公開番号（公開出願番号）：特開平8-307015
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 量子箱からの発光波長を一定範囲で制御可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板の上に、3次元的に量子閉じ込めを行う量子箱を半導体を用いて形成する工程と、前記量子箱を形成する温度よりも高い温度で、前記量子箱を熱処理する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板の上に、3次元的に量子閉じ込めを行う量子箱を半導体を用いて形成する工程と、前記量子箱を形成する温度よりも高い温度で、前記量子箱を熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/06

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/06