特許
J-GLOBAL ID：200903009843441052
窒化物半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077088
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274648
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 活性層での発熱を直接基板を通して放熱体に逃すことができ、活性層への転位等の欠陥導入が少なく、信頼性の高い窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】 カルコパイライト基板10上に、n-BeXMg1-XSeからなるバッファ層11を成長させる。ここでバッファ層11のxの値は、カルコパイライト基板10との界面付近では、格子定数をカルコパイライト基板10の格子定数と一致させ、バッファ層11成長後ではxの値が1となるように連続的にxの値を変化させる。次に、バッファ層11上に、立方晶系のn-In1-YGaYNからなる層12を成長させ、さらにその上にダブルヘテロ構造、すなわちn-Ga0.9Al0.1Nクラッド層4、In0.02Ga0.98N/In0.15Ga0.85N MQW活性層5、p-Ga0.9Al0.1Nクラッド層6、p-GaNコンタクト層7をそれぞれ成長させる。
請求項（抜粋）：
I-III-VI2族カルコパイライト型半導体を用いた基板上に、II-VI族化合物混晶を用いたバッファ層を有し、前記バッファ層上に窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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